半导体器件及其制造方法

摘要

本发明披露了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法可以包括：在半导体衬底上选择性地形成氧化层图样，在相同的衬底上形成绝缘层图样以覆盖该氧化层图样的边缘部分，蚀刻该氧化层图样和该衬底以形成凹槽和相应于该氧化层图样边缘部分的第一和第二氧化层图样，在凹槽中的衬底上形成第三氧化层图样以产生包括第一、第二和第三氧化层图样的栅极绝缘层，以及在该凹槽中形成栅极图样。所制造的半导体器件使得诸如栅致漏极泄露，连同其他情况的电流泄漏的发生减到最小，从而提高了晶体管的性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上选择性地形成氧化层图样；在所述衬底上形成绝缘层图样以覆盖所述氧化层图样的边缘部分；蚀刻所述氧化层图样和所述衬底，以形成凹槽和相应于所述氧化层图样边缘部分的第一和第二氧化层图样，其中，所述第一氧化层图样和所述第二氧化层图样具有相同的第一厚度；在所述凹槽中的衬底上形成第三氧化层图样以形成包括所述第一、第二和第三氧化层图样的栅极绝缘层，其中，所述第三氧化层图样具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度薄；以及在所述凹槽中形成栅极图样。