发明名称 光记录介质及其制造方法
摘要 本发明提供一种光记录介质,包括:其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板;和形成于基板上的染料记录层,其中所述染料记录层包括下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物、和胺化合物。
申请公布号 CN101389487B 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN200780006083.3 申请日期 2007.02.15
申请人 株式会社理光 发明人 八代彻;水上智
分类号 B41M5/26(2006.01)I;G11B7/244(2006.01)I 主分类号 B41M5/26(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 宋莉
主权项 1.一种光记录介质,包括:其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板;和形成于所述基板上的染料记录层,其中所述染料记录层包括下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物和胺化合物。通式(I)<img file="FSB00000010441200011.GIF" wi="1230" he="370" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>独立地表示可被取代的烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的苄基基团,Z表示形成芳环的原子团,X表示一价阴离子,并且L表示形成羰花青的连接基团,通式(II)<img file="FSB00000010441200012.GIF" wi="721" he="443" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>可相同或者不同,其为可被取代的烷基基团、可被取代的芳烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的杂环,Q表示具有配位性质的金属原子,q表示整数2或者3,并且A表示可被取代的芳基基团、可被取代的杂环或者Y=CH-,其中Y表示可被取代的芳基基团或者可被取代的杂环。
地址 日本东京都