发明名称 |
一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法 |
摘要 |
一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法,采用氧化锌铝透明导电薄膜作为籽晶层,并在其上水热生长氧化锌纳米线。首先,利用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃片上沉积氧化锌铝薄膜,其次采用水热自组装生长技术在氧化锌铝薄膜上生长氧化锌纳米线阵列,即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好C轴择优取向和紫外受激发光特性的氧化锌纳米线阵列。 |
申请公布号 |
CN101824613A |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN201010150281.0 |
申请日期 |
2010.04.19 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
阙文修;张进 |
分类号 |
C23C20/08(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C20/08(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法,其特征在于:1)将二水合醋酸锌、单乙醇氨和去离子水按1∶1∶0.5的摩尔比溶解于乙二醇甲醚中制成二水合醋酸锌的浓度为0.1~1mol/L的混合溶液;2)再将相对于锌离子浓度1~2%摩尔量的六水合氯化铝溶解于步骤1)的混合溶液中作为铝离子掺杂;3)将掺杂铝离子后的溶液密封后放入恒温水浴锅中,恒温60℃磁力搅拌得到透明均匀的溶胶;4)利用旋转涂层工艺在转速为2000-3000转/分钟将上述得到的溶胶沉积在清洗干净的ITO玻璃片上,再将旋涂后的基片放入200-275℃干燥箱中烘烤使溶剂能充分挥发,最后将基片放入退火炉中,350-500℃退火0.5-2小时得到氧化锌铝籽晶层;5)将六水合硝酸锌和氢氧化钠溶于水中制成生长液,生长液中六水合硝酸锌的浓度为0.02-0.04mol/L,氢氧化钠的浓度为0.4-0.8mol/L;6)将镀有氧化锌铝籽晶层的基片置于倒有生长液的水热反应釜中,将反应釜密封后在80-180℃温度下处理1-3小时,得到生长在氧化锌铝籽晶层上的氧化锌纳米线阵列。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁路28号 |