一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法

摘要

一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻蚀将图形传递到底层光刻胶，其光刻胶图形可以达到100nm～500nm。该方法解决了传统技术报道中表面等离子体成像光刻的图形深度浅、对比度低的技术缺陷，实现了高深宽比的纳米线宽图形光刻，可用于加工线宽20nm～500nm的纳米光刻胶图形，在电子集成线路加工、纳米光学材料加工等众多领域有广泛应用。

主权项

一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻用三层胶结构，其特征在于：在石英、硅或锗基片表面依次加工不具备紫外感光特性的光刻胶膜层、二氧化硅膜层、具备紫外感光特性的光刻胶膜层，其中与基片表面相邻的不具备紫外感光特性的光刻胶膜层厚度为100nm～500nm，中间层二氧化硅膜厚度为20nm～50nm，表层紫外感光光刻胶膜层厚度为20nm～50nm。