一种检测正光阻曝光门槛能量的方法

摘要

本发明涉及一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，该方法包括以下步骤：步骤1，在晶片上涂覆光阻层；步骤2，用无图形的光罩对该晶片进行能量递进式曝光，以从晶片的一端向另一端曝光能量逐渐减小或增大的方式曝光该晶片，分区化该晶片形成曝光区；步骤3，将晶片表面按曝光区大小进行分区；步骤4，按曝光能量递增的方向量测各分区的平均光阻厚度；步骤5，如果从某一分区开始光阻厚度小于预定值，则判定该光阻的曝光门槛能量为该分区的光阻相对应的曝光能量。与现有技术相比，本发明实现简单，测量准确，能避免人为地判断失误，且利于数据的保存及SPC管控，能够相对灵敏地反应出正光阻的曝光门槛能量，从而使得正光阻的ETH探测简便快捷。

主权项

一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，在晶片上涂覆光阻层；步骤2，用无图形的光罩对该晶片进行能量递进式曝光，以从晶片的一端向另一端曝光能量逐渐减小或增大的方式曝光该晶片，分区化该晶片形成曝光区；步骤3，将晶片表面按曝光区大小进行分区；步骤4，按曝光能量递增的方向量测各分区的平均光阻厚度；步骤5，如果从某一分区开始光阻厚度小于预定值，则判定该光阻的曝光门槛能量为该分区的光阻相对应的曝光能量。