发明名称 |
Cu<sub>2</sub>CdSnSe<sub>4</sub>纳米晶的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硒粉加入反应烧瓶中,然后升高温度进行反应,最终得到高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,所用前驱体材料成本低廉,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为热电器件材料。 |
申请公布号 |
CN101823702A |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN201010175651.6 |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁 |
分类号 |
C01B19/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B19/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,其特征在于制备方法如下:依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.5-5mmol乙酰丙酮酸铜、0.25-2.5mmol醋酸镉、0.25-2.5mmol醋酸锡和1-10mmol硒粉加入三口圆底烧瓶反应器中,在氩气氛围中升高温度至前躯体全部溶解,然后将反应温度升高到250-370℃反应1-60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降;最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。 |
地址 |
200083 上海市玉田路500号 |