发明名称 Cu<sub>2</sub>CdSnSe<sub>4</sub>纳米晶的制备方法
摘要 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硒粉加入反应烧瓶中,然后升高温度进行反应,最终得到高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,所用前驱体材料成本低廉,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为热电器件材料。
申请公布号 CN101823702A 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN201010175651.6 申请日期 2010.05.14
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁
分类号 C01B19/00(2006.01)I 主分类号 C01B19/00(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,其特征在于制备方法如下:依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.5-5mmol乙酰丙酮酸铜、0.25-2.5mmol醋酸镉、0.25-2.5mmol醋酸锡和1-10mmol硒粉加入三口圆底烧瓶反应器中,在氩气氛围中升高温度至前躯体全部溶解,然后将反应温度升高到250-370℃反应1-60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降;最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。
地址 200083 上海市玉田路500号
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