TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、形成在栅电极上并覆盖整个基板的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的源电极和漏电极、以横向排布方式形成在源电极与漏电极之间的掺杂半导体层和半导体层、形成在上述结构图形上的钝化层。本发明将掺杂半导体层和半导体层以横向排布方式设置在源电极与漏电极之间，不仅有效降低了内部段差，避免了后续沉积的薄膜产生断裂，而且减小了结构图形的厚度，减小了盒厚，提高了液晶的响应速度。

主权项

一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极，形成在基板上，与栅线连接；栅绝缘层，形成在栅电极上并覆盖整个基板；源电极，形成在栅绝缘层上，一端位于栅电极的上方，另一端与数据线连接；漏电极，形成在栅绝缘层上，一端位于栅电极的上方，另一端与像素电极连接；掺杂半导体层和半导体层，以横向排布方式形成在源电极与漏电极之间；钝化层，形成在上述结构图形上，并覆盖整个基板。