发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置包括:具有绝缘面的基板;设置在基板上的透光第一电极;设置在基板上的透光第二电极;设置为电连接于第一电极及第二电极的透光半导体层;电连接于第一电极的第一布线;至少覆盖半导体层而设置的绝缘层;设置在与半导体层重叠的区域的绝缘层上的透光第三电极;以及电连接于第三电极的第二布线。 |
申请公布号 |
CN101826534A |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN201010134288.3 |
申请日期 |
2010.03.04 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
木村肇 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
刘佳 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:基板,该基板具有绝缘面;第一电极,该第一电极具有透光性并设置在所述基板上;第二电极,该第二电极具有透光性并设置在所述基板上;半导体层,该半导体层具有透光性并设置为电连接于所述第一电极及所述第二电极;第一布线,该第一布线电连接于所述第一电极;绝缘层,该绝缘层至少覆盖所述半导体层而设置;第三电极,该第三电极具有透光性并设置在与所述半导体层重叠的所述绝缘层的一部分上;以及第二布线,该第二布线电连接于所述第三电极。 |
地址 |
日本神奈川县 |