半导体存储器件的金属线的形成方法

摘要

公开了一种形成半导体存储器件的金属线的方法。在其中形成接触的半导体衬底上方层叠层间绝缘层、蚀刻停止层、沟槽氧化物层、硬掩模层和光刻胶层。实施曝光过程以形成光刻胶图案。通过采用所述光刻胶图案的蚀刻过程来部分蚀刻硬掩模层。使用该硬掩模层作为蚀刻掩模来实施蚀刻过程以部分蚀刻沟槽氧化物层、蚀刻停止层和层间绝缘层，由此形成镶嵌沟槽。在包括沟槽的整个表面上形成金属材料。随后实施化学机械抛光过程以暴露出蚀刻停止层，由此形成金属线。

主权项

一种形成半导体存储器件的金属线的方法，所述方法包括：在其中形成有金属接触的半导体衬底上方层叠层间绝缘层、蚀刻停止层、沟槽氧化物层、硬掩模层和光刻胶层；对所述光刻胶层实施曝光过程以形成光刻胶图案；通过采用所述光刻胶图案的第一蚀刻过程来部分蚀刻所述硬掩模层；实施使用所述硬掩模层作为蚀刻掩模的第二蚀刻过程，以部分蚀刻所述沟槽氧化物层、所述蚀刻停止层和所述层间绝缘层，由此形成镶嵌沟槽；在包括所述沟槽的整个表面上形成金属材料；和实施化学机械抛光过程以暴露出所述蚀刻停止层，由此形成金属线，其中所述蚀刻停止层防止在所述曝光过程期间由所述金属接触所引起的散射反射。