具有跟踪改进的SRAM写能力的功率的负电压发生器

摘要

本发明公开了具有跟踪改进的SRAM写能力的功率的负电压发生器的集成电路结构，包括：静态随机存取存储器(SRAM)单元；第一电源节点，连接至SRAM单元，其中，第一电源节点被配置为向SRAM单元提供第一正电源电压；以及位线，连接至SRAM单元。负电压发生器耦合至位线并被配置为向位线输出负电压，其中，配置负电压发生器以使负电压响应于第一正电源电压的减小而减小以及响应于第一正电源电压的增大而增大。

主权项

一种集成电路结构，包括：静态随机存取存储器(SRAM)单元；第一电源节点，连接至所述SRAM单元，其中，所述第一电源节点被配置为向所述SRAM单元提供第一正电源电压；位线，连接至所述SRAM单元；以及负电压发生器，耦合至所述位线并被配置为向所述位线输出负电压，其中，配置所述负电压发生器以使所述负电压响应于所述第一正电源电压的减小而减小，以及响应于所述第一正电源电压的增大而增大。