| 发明名称 | 单相表信号功率放大电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；它还包括第四电阻和肖特基稳压管，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的正极接P沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的负极接P沟道MOS管的源极。该单相表信号功率放大电路能保护载波芯片不被损坏和使P沟道MOS管不易损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN201577067U | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200920201758.6 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 宁波三星电气股份有限公司 | 发明人 | 刘其君;蒙根;李颂清;邵柳东 |
| 分类号 | H03F3/21(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/21(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人 | 王树镛 |
| 主权项 | 一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；其特征在于：它还包括第四电阻和肖特基稳压管，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的正极接P沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的负极接P沟道MOS管的源极。 | ||
| 地址 | 315191 浙江省宁波市鄞州区姜山镇明光北路1166号 | ||