沟槽电容器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电容器。优选地，通过延伸到形成电容器板的掺杂扩散区或在形成电容器板的掺杂扩散区之间延伸的注入区来实现板接触。可通过形成隔离结构之后的工艺来形成该电容器，使得可以使用优选的软掩模工艺来形成隔离结构，并且避免了工艺通用性和兼容性限制，同时可以与其他结构的处理一样的方式执行该电容器形成工艺。

主权项

一种制造包括去耦电容器的集成电路的方法，所述方法包括步骤：形成多个隔离结构以限定芯片的有源区，在与至少一个所述有源区相对应的位置处打开掩模，以提供比所述有源区大并且与隔离结构的一部分重叠的开口；利用所述掩模在所述至少一个有源区处形成沟槽，在所述沟槽中形成板、电容器电介质和结，以及形成到所述板和所述结的连接，其中在该去耦电容器的制造过程中仅使用一次多晶硅填充沉积工艺，其用于形成所述结。