碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术

摘要

本发明提供碳化硅、氮化镓新型半导体器件表面钝化保护技术新途径，即使用玻璃钝化技术较好地解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。本发明所提供的碳化硅、氮化镓新型半导体器件玻璃钝化技术可以使用锌系钝化玻璃也可以使用铅系钝化玻璃；可以使用包括：刮涂、电泳、溅射、离心、化学气相沉积等在内的多种沉积/涂覆方法实现钝化玻璃覆盖；通过热处理技术可以精确控制钝化玻璃膜与碳化硅、氮化镓半导体器件材料的热匹配并同时获得优异的器件高温反向特性；在上述器件上还可实现钝化玻璃与SiO2或Si3N4双重介质膜的钝化形式以满足不同器件设计要求。利用本发明还可兼容制作晶体管的栅介质层和半导体电容介质材料，在集成电路场合使所制元件面积缩小、性能提高。

主权项

一种碳化硅、氮化镓半导体器件表面钝化保护技术新途径，其特征在于：使用玻璃钝化技术解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。