存储装置和半导体装置

摘要

存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。

主权项

一种存储装置，包括：具有存储元件和与所述存储元件串联连接的MOS晶体管的存储器单元，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，所述第二阈值电压是用于擦除所述存储元件所需的最低电压，并且I为在擦除时能够通过所述存储元件的电流，R≥V/I。