| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)(半导体衬底)上设置有半导体层(12)。半导体层(12)具有活性层(26)，并形成有波导脊(40)。p侧电极(44)(电极)接触于波导脊(40)的顶部的整个面。SiO2膜(46)(绝缘膜)覆盖波导脊(40)的侧面、p侧电极(44)的侧面、以及p侧电极(44)的上表面的两端部分，不覆盖p侧电极(44)的上表面的部分。由此，能够降低工作电压，并防止电极剥落。 | ||
| 申请公布号 | CN101826585A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN201010142157.X | 申请日期 | 2010.03.01 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 冈贵郁;楠政谕;阿部真司 |
| 分类号 | H01L33/36(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体衬底；半导体层，设置在所述半导体衬底上，具有活性层，并且形成有波导脊；电极，接触于所述波导脊的顶部的整个面；以及绝缘膜，覆盖所述波导脊的侧面、所述电极的侧面、以及所述电极的上表面的两端部分，并且不覆盖所述电极的上表面的中央部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||