发明名称 |
一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法,采用28%-53%的Nb2O5和5%~31%Ta2O5为初始原料,采用预先合成先驱体的方法制备出(Nb1-xTax)2O5,其中X=0~0.4,再在先驱体中加入39%~46%的Ag2O,高温煅烧反应生成Ag(Nb1-xTax)O3,X=0~0.4,再加入4.2%~7.0%的添加剂Bi2O3制备介质陶瓷。本发明的陶瓷材料的烧结温度较低(1060~1130℃),并且具有极高的介电常数(ε>700)、较低的介电损耗(tanδ<10×10-4)和较高的电阻率(>1012Ω·cm),制备工艺简单,过程无污染。 |
申请公布号 |
CN101215160B |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN200710060578.6 |
申请日期 |
2007.12.29 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
李玲霞;曹丽凤;张平;王洪茹;张志萍 |
分类号 |
C04B35/495(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B41/88(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
刘立春 |
主权项 |
一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷,其特征在于,由基质Ag(Nb1-xTax)O3和添加剂Bi2O3组成,组分含量为:以Ag(Nb1-xTax)O3的质量为100%,添加剂Bi2O3的质量为Ag(Nb1-xTax)O3质量的4.2%~7.0%,其中0<X≤0.4。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |