| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层；在所述单元区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第一掩模图案，以及在所述周边区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第二掩模图案；在所述单元区域上形成光刻胶图案；修整所述第二掩模图案的第一部分；移除所述光刻胶图案以及第一掩模图案的第二部分和第二掩模图案的第二部分；蚀刻所述蚀刻目标层以在所述单元区域和所述周边区域中形成图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101217106B | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200710145691.4 | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑镇基 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层，其中所述蚀刻目标层包含金属或金属硅化物；在所述单元区域中的所述蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第一掩模图案，以及在所述周边区域中的所述蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第二掩模图案；在所述单元区域上形成光刻胶图案；修整所述第二掩模图案的所述第一部分；移除所述光刻胶图案和所述第一掩模图案的所述第二部分以及所述第二掩模图案的所述第二部分；和蚀刻所述蚀刻目标层以在所述单元区域中形成图案和在所述周边区域中形成图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||