发明名称 |
一种用于强电场测量的光电集成强电场传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种用于强电场测量的光电集成强电场传感器,属于高电压测量技术领域。采用具有电光效应的晶片,在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导,互相平行的两段光波导中的一段的两侧形成两个电极,电极与偶极子天线相连。本发明的光电集成传感器,可以满足强电场(大于100kV/m)的测量;不仅可以测量强电场信号的幅值,还可以用于测量电场的频率、相位等信息,光电集成传感器中金属元件尺寸较少,对被测电场的影响很小,因此位置分辨能力强。传感器中采用光波导进行信号传输,无需使用电源就可以实现测量,因此非常适合高电压区域的测量。响应速度快、灵敏度高,因此大大提高了测量频率范围和响应速度。 |
申请公布号 |
CN1844942B |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN200610011963.7 |
申请日期 |
2006.05.23 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
曾嵘;何金良;陈未远;梁文烈 |
分类号 |
G01R29/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01R29/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
罗文群 |
主权项 |
一种用于强电场测量的光电集成强电场传感器,其特征在于采用具有电光效应的晶片,在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导,互相平行的两段光波导中的一段的两侧设置两个电极和两个偶极子天线,电极与偶极子天线相连。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园 |