| 主权项 |
一种SU-8纳米流体系统的制作方法，其特征是按如下步骤操作：a、利用全息法在石英基底(2)上制作光刻胶(1)的光栅图形，并通过反应离子刻蚀将所述光刻胶(1)的光栅图形转移到石英基底(2)上，形成具有光栅结构的石英基底(2)；在所述具有光栅结构的石英基底(2)上旋涂用于制作样品池掩模的光刻胶(3)，利用样品池模板(4)通过曝光显影形成具有样品池结构的光刻胶图形；利用反应离子刻蚀将所述具有样品池结构的光刻胶图形向石英基底(2)上的转移，在完成转移后的石英基底(2)的表面沉积Cr膜(5)，获得包含样品池Cr掩模结构(7)和光栅纳米尺寸结构(8)的组合光刻-压印模板(6)；b、在Si片表面旋涂SU-8光刻胶(9)，经烘烤形成Si基底(10)；c、在所述组合光刻-压印模板(6)的表面旋涂脱模剂后层压在所述Si基底(10)上，预热使所述Si基底(10)表面的SU-8光刻胶(9)软化后向所述组合光刻-压印模板(6)施加压印压力，使所述组合光刻-压印模板(6)压入软化的SU-8光刻胶(9)，保持压印压力20分钟后自然冷却，得到组合光刻-压印模板(6)、Si基底(10)以及SU-8光刻胶(9)的结合体；d、对所述结合体中的SU-8光刻胶(9)通过透光的组合光刻-压印模板(6)进行紫外曝光，曝光后经烘烤使SU-8光刻胶(9)固化，同时，组合光刻-压印模板(6)上的光栅纳米尺寸结构(8)复制在所述SU-8光刻胶(9)上；经自然冷却后重新分离为组合光刻-压印模板(6)和表面粘附有SU-8光刻胶(9)的Si基底(10)；将所述表面粘附有SU-8光刻胶(9)的Si基底(10)浸入在PGMEA显影液中，使样品池Cr掩模结构(7)下未曝光的SU-8光刻胶(9)溶于显影液，完成在所述Si基底(10)上的样品池的制作；e、在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶(12)，经烘烤固化后对所述PET片材上的键合层SU-8光刻胶(12)进行紫外曝光，再经烘烤使曝光后的键合层SU-8光刻胶(12)固化，经自然冷却得PET基片(11)；将稀释成厚度为150nm的稀释SU-8光刻胶(13)旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶(12)上；f、将经所述步骤d完成制作的Si基底(10)经氧气等离子体处理后层压在所述PET基片(11)上，经预热软化后施加压印压力，使得稀释SU-8光刻胶(13)将键合层SU-8光刻胶(12)和Si基底(10)上SU-8光刻胶(9)粘合，保持压印压力20分钟后自然冷却；透过PET基片(11)对Si基底(10)上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光，完成曝光后，对于包括有Si基底(10)、各SU-8光刻胶层以及PET基片(11)的层叠结构进行烘烤，使 得各SU-8光刻胶层之间充分固化交联后，去除PET基片(11)即完成SU-8纳米流体系统的制作。 |
