| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括交替地层叠在衬底上的绝缘图案和栅图案；在衬底上沿绝缘图案和栅图案的侧壁向上延伸的有源图案；插置在栅图案和有源图案之间的数据存储图案；以及设置于在彼此相邻的一对栅图案之间的有源图案中的源/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN101826528A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN201010175237.5 | 申请日期 | 2010.02.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金基玄;金汉洙;赵源锡;金镇瑚;张在焄;孙炳根 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：交替地层叠在衬底上的绝缘图案和栅图案；在所述衬底上沿所述绝缘图案和所述栅图案的侧壁向上延伸的有源图案；插置在所述栅图案和所述有源图案之间的数据存储图案；以及设置于在彼此相邻的一对栅图案之间的所述有源图案中的源/漏区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||