发明名称 半导体器件、半导体集成电路以及凸点电阻测定方法
摘要 可容易高精度并低成本地测定将芯片间连接的内部凸点的连接电阻。半导体器件包括主芯片(2)和副芯片(3),副芯片(3)通过主凸点(Ba,Bb,...)和测定或控制输入凸点(B1~B4)与主芯片(2)连接,上述两个芯片分别包括:每个主凸点的多个电压路径开关(T12a,T12b,...或T13a,T13b,...);主凸点和测定路径开关的各个连接点(Na2,Nb2,...或Na3,Nb3,...)上所连接的多个电流路径开关(T22a,T22b,...或T23a,T23b,...);以及控制电路(移位寄存器42或43),主芯片(2)还包括:用于控制输入、供给固定电流以及电压测定的多个测定或控制端子(Ta~Tf)。
申请公布号 CN101154654B 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN200710142757.4 申请日期 2007.08.23
申请人 索尼株式会社 发明人 清水目和年;山田隆章
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临
主权项 一种半导体器件,包括:第一半导体芯片;以及第二半导体芯片,通过除了在芯片之间的动作所需数目的主凸点外,还包括多个测定或控制输入凸点的多个凸点,与所述第一半导体芯片连接,所述第一半导体芯片以及第二半导体芯片分别包括:一端连接到每个所述主凸点上的多个测定路径开关;一端连接到所述主凸点和所述测定路径开关之间的各个连接点上的多个电流路径开关;以及所述测定路径开关的控制电路,所述第一半导体芯片的所述多个测定路径开关的另一端连接到用于测定所述连接点的电压的一个测定或控制端子,所述第二半导体芯片的所述多个测定路径开关的另一端经由一个测定路径凸点连接到用于测定所述连接点的电压的另一个测定或控制端子,所述多个电流路径开关的另一端连接到提供流过所述电流路径开关的恒流的测定或控制端子,其中,所述多个测定或控制输入凸点包括:电流路径凸点;测定路径凸点;以及多个控制输入凸点,所述第一半导体芯片包括的多个测定或控制端子包括:测试信号输入端子,通过一个控制输入凸点连接到所述第二半导体芯片,且输入将所述第一及第二半导体芯片的电流路径开关导通的测试信号;两个电流供给端子,一个电流供给端子对在所述第一半导体芯片侧导通状态的所述电流路径开关提供恒流,而另一个电流供给端子通过所述电流路径凸点,对在所述第二半导体芯片侧导通状态的所述电流路径开关提供恒流;所述控制信号的输入端子,分别连接到分别设置在所述第一以及通过另一个控制输入凸点连接到的第二半导体芯片上的两个所述控制电路,从而使所述控制电路动作;以及两个电压测定端子,用于通过所述测定路径凸点,测定被供给所述恒流的主凸点两端的电压,一个电压测定端子连接到所述第一半导体芯片上的多个所述测定路径开关的另一个端子,而另一个电压测定端子通过所述测定路径凸点连接到所述第二半导体芯片上的多个所述测定路径开关的另一个端子。
地址 日本东京都