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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine entsprechende Schaltung zum Schutz eines Leistungs-MOSFET vor Wärmeüberlastung beim Abschalten des MOSFET. Der Prozess des Schaltens des Transistors in seinen abgeschalteten Zustand wird gesteuert, indem eine Änderungsgeschwindigkeit angelegt wird, die so wenig Interferenzen wie möglich induziert, während gleichzeitig der Temperaturanstieg in dem Transistor, der durch den Abschaltprozess verursacht wird, begrenzt wird.
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