发明名称 Dielectric storage memory cell MONOS having high permittivity top dielectric and method therefor
摘要
申请公布号 KR100979661(B1) 申请公布日期 2010.09.02
申请号 KR20057003561 申请日期 2003.07.24
申请人 发明人
分类号 H01L27/10;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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