发明名称 光阻组成物、光阻图型的形成方法
摘要
申请公布号 TWI329785 申请公布日期 2010.09.01
申请号 TW094115401 申请日期 2005.05.12
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 中川裕介;秀坂慎一;中山一彦
分类号 G03F7/004 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种正型光阻组成物,其特征为将基础树脂成份(A),及肟磺酸酯系酸产生剂(B)溶解于含有甲基n-戊酮之有机溶剂(C)所得者,其中,前述基础树脂成份(A)为含有80莫耳%以上(甲基)丙烯酸酯所衍生之结构单位,前述基础树脂成份(A)含有具酸解离性溶解抑制基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之结构单位(a1),该结构单位(a1)含有下述式(AI-1)所示结构单位,又,肟磺酸酯系酸产生剂(B)为具有下述式(B-1)所示结构,@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!(式中,R为甲基或氢原子,X为含有环骨架上碳原子中之1个碳原子键结有低级烷基之单环或多环的脂环式基之酸解离性溶解抑制基,且键结前述烷基之碳原子为键结于邻接于X之氧原子的基)@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!(式中,R21为有机基,R22为1价有机基,或氰基)。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中(C)成份中之甲基n-戊酮之含量为10至60质量%。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中(C)成份尚含有1种以上由丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚、与乳酸乙酯中所选出者。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中结构单位(a1)为含有1种以上由下述式(2)与下述式(3)所示结构单位所选出者,@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!(式中,R为甲基或氢原子,R11为低级烷基)@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!(式中,R为甲基或氢原子,R12为低级烷基)。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其为具有含氮层之基板用或设有反射防止膜之基板用光阻组成物。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其尚含有(D)含氮有机化合物。如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其为热流制程用光阻组成物。一种光阻图型之形成方法,其特征为调制申请专利范围第1项之正型光阻组成物,将前述组成物涂布于基板上,经预烧焙、选择性曝光后,施以曝光后加热处理,经硷显影而形成光阻图型之方法。一种光阻图型之形成方法,其特征为包含调制申请专利范围第7项之正型光阻组成物,将前述组成物涂布于基板上,经预烧焙、选择性曝光后,施以曝光后加热处理,经硷显影而形成光阻图型之光阻图型形成步骤,与将所得之光阻图型之图型尺寸经由加热处理使其狭窄化之狭窄步骤。
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