| 主权项 |
一种发光二极体的导电支架结构，至少包含：一接合区，用以接合一发光二极体；二翅膀形反射面，分别形成于该接合区之两侧，其中每一该些翅膀形反射面与该接合区夹有一特定角度，用以使该发光二极体之侧向光朝一特定方向出光；一第一电极接脚，连接于该接合区之一侧，用以电性连接于该发光二极体；以及一第二电极接脚，连接于该接合区之另一侧，用以电性连接于该发光二极体，其中，该导电支架系用以结合一座体，而形成一封装基座，且该导电支架的该第一电极接脚与该第二电极接脚系向内形成弯折，以卡掣结合于该座体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该特定角度系实质介于20度至70度之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该特定角度系为30度。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该翅膀形反射面系利用冲压一体成型。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该导电支架系利用冲压制成。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该座体系利用射出成型的方式来制成。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该封装基座系为一杯状结构，并具有一杯缘表面。如申请专利范围第7项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该封装基座之杯状结构的横截面形状系选自由矩形、多边形、圆形及椭圆形所组成之一族群。如申请专利范围第7项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该封装基座的该杯缘表面上具有一反射材料层。如申请专利范围第9项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该反射材料层系选自由金属材料层、非金属材料层及非金属材料层与金属材料层的混合组成物所组成之族群。如申请专利范围第10项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该反射材料层系选自由银金属、二氧化矽、氮化矽、氮化钛、钛金属、银金属/二氧化矽、银金属/氮化矽及银金属/氮化钛所组成之族群。如申请专利范围第1项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该翅膀形反射面的表面形成一反射材料层。如申请专利范围第12项所述之发光二极体之导电支架结构，其中该反射材料层系一银金属层。一种发光二极体之封装结构，至少包含：一导电支架，至少包含：一接合区，用以接合一发光二极体；二翅膀形反射面，形成于该接合区之两侧，其中每一该些翅膀形反射面与该接合区夹有一特定角度，用以使该发光二极体所发出之侧向光朝一特定方向出光；一第一电极接脚，连接于该接合区之一侧，用以电性连接于该发光二极体；以及一第二电极接脚，系连接于该接合区之另一侧，用以电性连接于该发光二极体；以及一座体，结合于该导电支架，而形成一封装基座，其中该导电支架的该第一电极接脚与该第二电极接脚系向内形成弯折，以卡掣结合于该座体。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该特定角度系实质介于20度至70度之间。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该特定角度系30度。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该些翅膀形反射面系利用冲压一体成型。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该导电支架系利用冲压制成。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该座体系利用射出成型的方式来制成。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该封装基座系呈一杯状结构，并具有一杯缘表面。如申请专利范围第20项所述之发光二极体之封装结构，其中该封装基座之杯状结构的横截面形状系选自由矩形、多边形、圆形及椭圆形所组成之一族群。如申请专利范围第20项所述之发光二极体之封装结构，其中该封装基座的该杯缘表面上形成有一反射材料层。如申请专利范围第22项所述之发光二极体之封装结构，其中该反射材料层系选自由金属材料层、非金属材料层及非金属材料层与金属材料层的混合组成物所组成之族群。如申请专利范围第23项所述之发光二极体之封装结构，其中该反射材料层系选自由银金属、二氧化矽、氮化矽、氮化钛、钛金属、银金属/二氧化矽、银金属/氮化矽及银金属/氮化钛所组成之族群。如申请专利范围第14项所述之发光二极体之封装结构，其中该翅膀形反射面的表面形成一反射材料层。如申请专利范围第25项所述之发光二极体之封装结构，其中该反射材料层系一银金属层。一种发光二极体之导电支架结构，至少包含：一接合区，用以接合一发光二极体；复数个翅膀形反射面，分别形成于该接合区之周围，其中每一该些翅膀形反射面与该接合区夹有一特定角度，用以使该发光二极体之侧向光朝一特定方向出光；一第一电极接脚，连接于该接合区之一侧，用以电性连接于该发光二极体；以及一第二电极接脚，系连接于该接合区之另一侧，用以电性连接于该发光二极体，其中，该导电支架系用以结合一座体，而形成一封装基座，且该导电支架的该第一电极接脚与该第二电极接脚系向内形成弯折，以卡掣结合于该座体。 |
