| 主权项 |
一种发光控制电路，用以接收一电压源，该发光控制电路包括：一第一电晶体，具有一第一电晶体第一端、一第一电晶体第二端以及一第一电晶体控制端；一第二电晶体，具有一第二电晶体第一端、一第二电晶体第二端以及一第二电晶体控制端，该第二电晶体第一端接收该电压源，该第二电晶体第二端电性连接至该第一电晶体控制端；一第一电阻，具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端，该第一电阻第一端接收该电压源，该第一电阻第二端电性连接至该第一电晶体第一端；一第二电阻，具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端，该第二电阻第一端接收该电压源，该第二电阻第二端电性连接该第二电晶体控制端；一第三电阻，具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端，该第三电阻第一端电性连接至该第二电晶体第二端与该第一电晶体控制端，该第三电阻第二端接地；一第一发光二极体，具有一第一阳极以及一第一阴极，该第一阳极电性连接至该第一电晶体第二端，该第一阴极接地；以及一第二发光二极体，具有一第二阳极以及一第二阴极，该第二阳极电性连接至该第二电晶体第二端与该第二电晶体控制端，该第二阴极接地，其中该第二发光二极体的一正向偏压大于该第一发光二极体的该正向偏压；其中，当该电压源的一电压值大于一第一临界值时，该第一发光二极体导通，当该电压值大于一第二临界值时，该第一发光二极体与该第二发光二极体同时导通，该电压值大于一第三临界值时，该第一发光二极体不导通，且该电压值瞬间上升。如请求项1所述之发光控制电路，其中在该电压值大于该第三临界值后，且在该电压值下降并小于一第四临界值时，该第二发光二极体不导通，且该第一发光二极体导通。如请求项1所述之发光控制电路，其中该第一电晶体以及该第二电晶体系为一PNP型双极接面电晶体(Bipolar Junction Transistor，BJT)，该第一电晶体第一端为一第一射极(Emitter)，该第一电晶体第二端为一第一集极(Collector)，该第一电晶体控制端为一第一基极(Base)，该第二电晶体第一端为一第二射极，该第二电晶体第二端为一第二集极，该第二电晶体控制端为一第二基极。如请求项1所述之发光控制电路，其中该第一电晶体以及该第二电晶体系为一P型金属氧化层半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)，该第一电晶体第一端为一第一源极(Source)，该第一电晶体第二端为一第一汲极(Drain)，该第一电晶体控制端为一第一闸极(Gate)，该第二电晶体第一端为一第二源极，该第二电晶体第二端为一第二汲极，该第二电晶体控制端为一第二闸极。如请求项1所述之发光控制电路，其中该第二电阻系为一可变电阻，该可变电阻系用以调整该第三临界值。一种应用发光控制电路之腕力训练球，包括：一外壳，固定有一磁性元件；以及一旋转体，该旋转体位于该外壳内，该旋转体包括一发光装置，该发光装置包括：一电能产生电路，包括：一感应线圈，用以接收一感应电压；以及一整流滤波电路，用以将该感应电压转换成一输出电压；以及一发光控制电路，用以接收该输出电压，该发光控制电路包括：一第一电晶体，具有一第一电晶体第一端、一第一电晶体第二端以及一第一电晶体控制端；一第二电晶体，具有一第二电晶体第一端、一第二电晶体第二端以及一第二电晶体控制端，该第二电晶体第一端接收该输出电压，该第二电晶体第二端电性连接至该第一电晶体控制端；一第一电阻，具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端，该第一电阻第一端接收该输出电压，该第一电阻第二端电性连接至该第一电晶体第一端；一第二电阻，具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端，该第二电阻第一端接收该输出电压，该第二电阻第二端电性连接该第二电晶体控制端；一第三电阻，具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端，该第三电阻第一端电性连接至第二电晶体第二端与该第一电晶体控制端，该第三电阻第二端接地；一第一发光二极体，具有一第一阳极以及一第一阴极，该第一阳极电性连接至该第一电晶体第二端，该第一阴极接地；以及一第二发光二极体，具有一第二阳极以及一第二阴极，该第二阳极电性连接至该第二电晶体第二端与该第二电晶体控制端，该第二阴极接地，其中该第二发光二极体的一正向偏压大于该第一发光二极体的该正向偏压；其中，当该输出电压的一输出电压值大于一第一临界值时，该第一发光二极体导通，当该输出电压值大于一第二临界值时，该第一发光二极体与该第二发光二极体同时导通，该输出电压值大于一第三临界值时，该第一发光二极体不导通，且该输出电压瞬间上升。如请求项6所述之应用发光控制电路之腕力训练球，其中在该电压值大于该第三临界值后，且在该电压值下降并小于一第四临界值时，该第二发光二极体不导通，且该第一发光二极体导通。如请求项6所述之应用发光控制电路之腕力训练球，其中该第一电晶体以及该第二电晶体系为一PNP型双极接面电晶体(Bipolar Junction Transistor，BJT)，该第一电晶体第一端为一第一射极(Emitter)，该第一电晶体第二端为一第一集极(Collector)，该第一电晶体控制端为一第一基极(Base)，该第二电晶体第一端为一第二射极，该第二电晶体第二端为一第二集极，该第二电晶体控制端为一第二基极。如请求项6所述之应用发光控制电路之腕力训练球，其中该第一电晶体以及该第二电晶体系为一P型金属氧化层半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)，该第一电晶体第一端为一第一源极(Source)，该第一电晶体第二端为一第一汲极(Drain)，该第一电晶体控制端为一第一闸极(Gate)，该第二电晶体第一端为一第二源极，该第二电晶体第二端为一第二汲极，该第二电晶体控制端为一第二闸极。如请求项6所述之应用发光控制电路之腕力训练球，其中该第二电阻系为一可变电阻，该可变电阻系用以调整该第三临界值。 |
