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一种陶瓷电容改良，其主要设有一陶瓷体，该陶瓷体两相对表面设有至少一真空金属镀膜，且该真空金属镀膜并连接有接脚，且该真空金属镀膜厚度并小于1微米。如申请专利范围第1所述之陶瓷电容改良，其中，该陶瓷体与二真空金属镀膜之间进一步设有一第一介质层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该第一介质层可以为铬层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可以为铜层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可以为铝层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可以为金层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可以为银层。如申请专利范围第2项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可以为合金。如申请专利范围第1项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可藉由溅镀方式成型。如申请专利范围第1项所述之陶瓷电容改良，其中，该接脚系以焊料层与真空金属镀膜相连接。如申请专利范围第10项所述之陶瓷电容改良，其中，该焊料层与真空金属镀膜之间进一步设有第二介质层。如申请专利范围第11项所述之陶瓷电容改良，其中，该第二介质层可以为锡层。如申请专利范围第1项所述之陶瓷电容改良，其中，该陶瓷电容外部系由绝缘材料密封以构成封装层。如申请专利范围第1项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可布满陶瓷体之表面。如申请专利范围第1项所述之陶瓷电容改良，其中，该真空金属镀膜可布满陶瓷体部分表面。 |
