| 发明名称 | 半导体元件以及半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101821865A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200880108746.7 | 申请日期 | 2008.08.07 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;C01G9/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||