发明名称 |
薄膜集成电路器件的制造方法和非接触薄膜集成电路器件及其制造方法 |
摘要 |
为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路,根据本发明的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤:在衬底上面形成剥离层;在剥离层上面形成底部薄膜;在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件;在多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽;以及在凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体,从而去除剥离层;因而使多个薄膜集成电路器件相互分离。 |
申请公布号 |
CN1894796B |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN200480037193.2 |
申请日期 |
2004.12.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;小森美帆;佐藤由里香;细木和江;荻田香 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G06K19/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种薄膜集成电路器件的制造方法,包括下列步骤:在支持衬底上方形成剥离层;在所述剥离层上方形成底部薄膜;在所述底部薄膜上方形成多个薄膜集成电路;在所述多个薄膜集成电路之间的边界处形成凹槽;将夹具附加到所述多个薄膜集成电路的上部;以及在所述凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体,由此去除所述剥离层,由此使所述多个薄膜集成电路分离,其中所述夹具为具有突出部分的梳状结构。 |
地址 |
日本神奈川 |