| 发明名称 | 一种实现浅沟槽结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种实现浅沟槽结构的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底中具有芯片所需的结构；蚀刻形成浅沟槽结构；沉积氧化物层；进行化学机械研磨，在半导体衬底上沉积氧化物；将进行了化学机械研磨的半导体衬底在高温下放入调温炉管，并通入氧气进行氧化反应，持续预定时间后取出。本发明可以改善浅沟槽转角栅氧化层的厚度，从而提高栅氧化层的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN101819942A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200910126311.1 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 何荣;曾令旭;张建伟;曾海;洪文田 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 一种实现浅沟槽结构的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底中具有芯片所需的结构；蚀刻形成浅沟槽结构；沉积氧化物层；进行化学机械研磨，在半导体衬底上沉积氧化物；将进行了化学机械研磨的半导体衬底放入调温炉管，并通入氧气进行氧化反应，持续预定时间后取出。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||