发明名称 一种基于ARM微处理器控制的IGBT串联电路
摘要 本实用新型公开了一种基于ARM微处理器控制的IGBT串联电路。该串联电路包括ARM微处理器S3C2410PWM输出电路、多个IGBT驱动电路、与IGBT驱动电路相等个数的IGBT保护电路和与IGBT驱动电路相等个数的电压监控电路,并对十个IGBT串联电路进行了仿真;安装设计图为实际应用接线方式。S3C2410定时器发出PWM信号为驱动器M57962L的输入信号。驱动电路准确控制IGBT开断。保护电路由IGBT过压保护电路、栅极电阻、静态均压电阻组成,可保护IGBT的正常工作。电压监控电路监控M57962L供电电源模块的电压,使电路正常工作。本实用新型能实现多个IGBT的串联,可用于高压设备。
申请公布号 CN201570979U 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200920201461.X 申请日期 2009.12.02
申请人 浙江大学 发明人 王剑平;余琳;黄康;盖玲;刘孔绚
分类号 H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H02M3/155(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林怀禹
主权项 一种基于ARM微处理器控制的IGBT串联电路,其特征在于包括ARM微处理器S3C2410PWM输出电路、多个IGBT驱动电路、与IGBT驱动电路相等个数的IGBT保护电路和与IGBT驱动电路相等个数的电压监控电路;ARM微处理器S3C2410PWM输出电路分别与各自的IGBT驱动电路输入端相连;其中每个IGBT驱动电路的有四个输出端,第一个输出端与IGBT的集电极相连,第二个输出端与IGBT的栅极相连,第三个输出端与监控电路的一端相连,第四个输出端与IGBT的发射极和监控电路的另一端相连;第一个IGBT保护电路的一端与IGBT的集电极相连,并通过集电极与负载的一端相连,负载的另一端与高压电源的正端相连;第一个保护电路的另一端分别与第一个IGBT的栅极和发射极相连,并通过发射极与第二个IGBT的集电极相连;前一个IGBT的发射极分别与后一个IGBT的集电极相连,直到最后一个;最后一个IGBT保护电路的一端与最后一个IGBT的集电极相连,最后一个保护电路的另一端分别与最后一个IGBT的栅极和发射极相连,并通过的发射极接地,再接到高压电源负端。
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