| 发明名称 | 制造疏水化多孔膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括如下步骤：在衬底(1)上形成有机二氧化硅绝缘膜(2)；在将所述衬底(1)保持在硅烷化气体的露点以上但蒸发温度以下的温度下的同时，向布置了所述衬底(1)的装置中引入由硅烷化气体和惰性气体构成的混合气体(3)，所述衬底(1)具有有机二氧化硅绝缘膜(2)；停止向所述装置中引入所述混合气体(3)；以及对具有所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的所述衬底(1)进行加热。所述方法能够获得疏水化的有机二氧化硅绝缘膜，所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的表面和孔的表面被疏水化，从而抑制介电常数的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101821838A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200880110373.7 | 申请日期 | 2008.09.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司;株式会社爱发科 | 发明人 | 邻真一;中山高博 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括：在衬底上形成多孔膜；在所述衬底的温度下，向布置了所述衬底的装置中供应由硅烷化气体和惰性气体构成的气体混合物，所述衬底上形成有所述多孔膜，且所述温度在所述硅烷化气体的露点温度以上且在所述硅烷化气体的汽化温度以下；停止向所述装置中供应所述气体混合物；以及对上面形成有所述多孔膜的所述衬底进行加热。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||