用于增强微电子器件的性能的等离子体激元高速器件

摘要

本发明的各实施例针对可用来收集入射ER并将其转换成表面等离子体激元的、可用来增强微电子器件的操作的光子器件。在本发明的一个实施例中，光子器件(100)包括具有顶面和底面的介电层(104)、以及覆盖该介电层的顶面的至少一部分的平面纳米线网络(106)。该介电层的底面位于衬底(102)的顶面上，并且该平面纳米线网络被配置成将入射电磁辐射转换成表面等离子体激元，该表面等离子体激元透过介电层并透入衬底的至少一部分。

主权项

一种光子器件(100)，包括：具有顶面和底面的介电层(104)，所述介电层的底面位于衬底(102)的顶面上；以及覆盖所述介电层的顶面的至少一部分并被配置成将入射电磁辐射转换成表面等离子体激元的平面纳米线网络(106)，所述表面等离子体激元透过所述介电层并透入所述衬底的至少一部分。