| 发明名称 | 多段式硫化镉薄膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，包含以下步骤：步骤一：将一含有光吸收层的基板置于一具有硫离子及镉离子且高浴温的第一化学浴溶液中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及步骤二：再将上述基板置于一具有硫离子及镉离子的另一低浴温的第二化学浴溶液中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，其中该第一化学浴溶液和第二化学浴溶液中的温度差异在10℃以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101820028A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN201010111492.3 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 昆山正富机械工业有限公司 | 发明人 | 杨益郎;陈文仁;林群福 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，其特征于至少包含以下步骤：步骤一：将一含有光吸收层的基板置于一具有硫离子及镉离子且高浴温的第一化学浴溶液中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及步骤二：再将上述基板置于一具有硫离子及镉离子的另一低浴温的第二化学浴溶液中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，其中该第一化学浴溶液和第二化学浴溶液中的温度差异在10℃以上。 | ||
| 地址 | 215332 江苏省昆山市花桥镇逢星路555号 | ||