高迁移率三栅器件及其制造方法

摘要

提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上<110>晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上<100>晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考定向与第二参考定向对准。在另一个示范方面，第二衬底具有位于第二衬底上<110>晶面位置处的第二参考定向，其中在第二参考定向相对于第一参考定向偏移大约45度的情况下，第二衬底在第一衬底上方形成。

主权项

一种半导体衬底组件，包含：第一衬底，具有位于第一衬底上<110>晶面位置处的第一基准定向；以及第二衬底，在所述第一衬底的顶部形成，所述第二衬底具有位于第二衬底上<100>晶面位置处的第二基准定向，其中所述第一基准定向与所述第二基准定向对准，以使第二衬底上的<100>晶面位置与第一衬底上的<110>晶面位置对准。