可控硅器件的复合平面终端钝化方法

摘要

本发明涉及一种可控硅器件的复合平面终端钝化方法，所述方法包括以下工艺过程：一、在一定温度、时间和气氛下，将磷原子推入硅片一定深度，形成门区，完成芯片阴极区氧化扩散，二、将硅片表面氧化层全剥离，形成芯片硅衬底层，三、在步骤二形成的芯片硅衬底层表面淀积一钝化层，四、在步骤三形成的钝化层表面依次淀积第一保护层、第二保护层和第三保护层，形成钝化膜保护PN结终端，五、将步骤四形成的钝化膜保护PN结终端退火、时间处理后，通过光刻在所述钝化膜保护PN结终端刻出阴极、门极引线孔窗口，完成可控硅平面终端钝化。本发明方法能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。

主权项

一种可控硅器件的复合平面终端钝化方法，其特征在于所述方法包括以下工艺过程：步骤一、在一定温度、时间和气氛下，将磷原子推入硅片一定深度，形成阴极区；步骤二、将完成芯片阴极区氧化扩散的硅片，利用二氧化硅腐蚀液，将硅片表面氧化层全剥离，形成芯片硅衬底层；步骤三、采用化学气象淀积的方法在步骤二形成的芯片硅衬底层表面淀积一钝化层；步骤四、采用化学气象淀积的方法在步骤三形成的钝化层表面依次淀积第一保护层、第二保护层和第三保护层，形成钝化膜保护PN结终端；步骤五、将步骤四形成的钝化膜保护PN结终端在：温度950-1050℃、时间60minN2退火或HCl氧化退火后，通过光刻在所述钝化膜保护PN结终端刻出阴极、门极引线孔窗口，完成可控硅平面终端钝化，所述钝化层材料采用半绝缘掺氧多晶硅，第一保护层和第三保护层材料均采用二氧化硅，第二保护层材料采用磷硅玻璃。