| 发明名称 | 碳纳米管键合焊盘结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路(IC)的键合焊盘结构(300)，使用碳纳米管以提高线键合(360)的强度和弹性。在示例实施例中，在IC衬底上有键合焊盘结构(300)，该键合焊盘结构包括：具有顶表面和底表面的第一导电层(310)，底表面附着于IC衬底上。在第一导电层(310)的顶表面上沉积电介质层(320)，该电介质层具有通路阵列(325)，通路阵列中填充有碳纳米管材料(325)，该碳纳米管材料(325)与第一导电层(310)电耦合。存在着具有顶表面和底表面的第二导电层(330)，该第二导电层的底表面与碳纳米管材料(325)电耦合。该实施例的特征也可以包括由碳纳米管材料组成的第一(410、510)或第二(430、530)导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101185164B | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200680018797.1 | 申请日期 | 2006.03.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 克里丝·怀兰德 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种集成电路衬底上的键合焊盘结构(300)，该键合焊盘结构包括：具有顶表面和底表面的第一导电层(310)，该底表面附着于集成电路衬底上并与之接触；在第一导电层的顶表面上沉积的电介质层(320)，该电介质层具有通路阵列，通路阵列中的每一个填充有碳纳米管材料(325)，碳纳米管材料与第一导电层(310)电耦合；以及沉积于电介质层(320)之上且具有顶表面和底表面的第二导电层(330)，该第二导电层的底表面与该碳纳米管材料(325)电耦合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市 | ||