发明名称 固体摄像元件
摘要 本发明提供一种固体摄像元件,是一种受光部的表面积相对于1个像素的表面积的比例较大的图像传感器。在基板上排列固体摄像元件形成的固体摄像装置,该固体摄像元件包括:形成在基板上的信号线;配置在上述信号线上的岛状半导体;与上述岛状半导体的上部连接的像素选择线,上述岛状半导体包括:配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线连接的第1半导体层;与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层;隔着绝缘膜与上述第2半导体层连接的栅极;与上述第2半导体层连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的上述电荷积蓄部;与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线连接的第4半导体层,将上述固体摄像元件在基板上排列成蜂窝状。
申请公布号 CN101542733B 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200880000441.4 申请日期 2008.03.21
申请人 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 发明人 舛冈富士雄;中村广记
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种固体摄像装置,其具有排列在基板上的固体摄像元件,其特征在于,上述固体摄像元件包括:形成在基板上的信号线;配置在上述信号线上的岛状半导体;与上述岛状半导体的上部相连接的像素选择线,上述岛状半导体包括:配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线相连接的第1半导体层;与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层;隔着绝缘膜与上述第2半导体层相连接的栅极;与上述第2半导体层相连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的电荷积蓄部;与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线相连接的第4半导体层,将上述固体摄像元件在基板上排列成蜂窝状。
地址 日本东京都