发明名称 |
液晶显示器件和其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于通过不增加新的步骤而形成遮光膜,以提供一种可见度高的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件具有在有源矩阵衬底和相对衬底之间封入液晶的结构。在所述有源矩阵衬底上形成有由多个TFT、布线、以及第一电极(像素电极)等构成的像素部分等,并且在所述相对衬底上形成有第二电极(相对电极)以及着色膜等。本发明的液晶显示器件还具有这样的结构,即将形成TFT的电极和布线等的导电膜的一部分用作像素部分中的遮光膜,所述TFT的电极和布线等形成在有源矩阵衬底上。 |
申请公布号 |
CN1913155B |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN200610110957.7 |
申请日期 |
2006.08.11 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
细谷邦雄 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
一种液晶显示器件,包括:中间夹着栅极绝缘膜形成在栅极和栅极线上的第一半导体膜;形成在所述第一半导体膜上的第一绝缘体和第二绝缘体;形成在所述第一半导体膜上的与所述第一绝缘体和所述第二绝缘体不重叠且彼此不接触的源极区域和漏极区域;形成在所述第一半导体膜上的第二半导体膜;形成在所述第一绝缘体和所述第二绝缘体上的第三半导体膜;形成在所述源极区域和漏极区域上的源极和漏极;中间夹着所述第三半导体膜形成在所述第一绝缘体上的第一遮光膜;中间夹着所述第三半导体膜形成在所述第二绝缘体上的源极线;以及形成在所述第二半导体膜上的第二遮光膜,其中,所述第一绝缘体形成在所述源极区域和所述漏极区域之间,与所述第二绝缘体的一部分接触地形成所述第二半导体膜,所述源极区域、所述漏极区域、所述第二半导体膜、以及所述第三半导体膜由相同的导电材料形成,并且所述源极、所述漏极、所述源极线、所述第一遮光膜、以及所述第二遮光膜由相同的遮光性导电膜形成。 |
地址 |
日本神奈川 |