| 发明名称 | 测试晶片的方法及测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测试晶片的方法及测试结构，包括模拟晶片、要测试晶片及电连接模拟晶片和要测试晶片的两个接点的金属引线，使模拟晶片和要测试晶片进行测试信号交互，得到要测试晶片的测试结果，对要测试晶片测试之前，在所述金属引线及模拟晶片周围设置多条金属线。本发明提供的方法及测试结构保证测试晶片时，得到的晶片测试结果准确。 | ||
| 申请公布号 | CN101819940A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200910046706.0 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄艳 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种测试晶片的方法，包括模拟晶片、要测试晶片及电连接模拟晶片和要测试晶片的两个接点的金属引线，使模拟晶片和要测试晶片进行测试信号交互，得到要测试晶片的测试结果，其特征在于，该方法还包括：对要测试晶片测试之前，在所述金属引线及模拟晶片周围设置多条金属线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||