发明名称 以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器
摘要 本发明申请提供的以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器是以沉积法在绝缘材料基体表面上形成金、铂或铬之一的电极薄膜,按设计图形结构以化学侵蚀法在所述的电极薄膜层上制出传感体于基体的占用面,于传感体的基体占用面上制有氧化亚铜层,于氧气和氮气混合气体中退火晶化形成氧化亚铜微晶薄膜。本技术方案有着比现有的其它气体传感器低得多的反应和恢复时间,而且具有良好的选择性,重复性和稳定性也大大提高,其成本低、体积小。
申请公布号 CN101819176A 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200910249072.9 申请日期 2009.12.31
申请人 张洪延;阿哈拉普瑅亚·H·杰亚瑅沙 发明人 阿哈拉普瑅亚·H·杰亚瑅沙;张洪延
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 丹东汇申专利事务所 21227 代理人 徐枫燕
主权项 一种以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器,其特征在于以沉积法在绝缘材料基体(4)表面上形成金、铂或铬之一的电极(1、3)薄膜,按设计图形结构以化学侵蚀法在所述的电极薄膜层上制出传感体(2)于基体的占用面,于传感体的基体占用面上制有氧化亚铜层,于氧气和氮气混合气体中退火晶化形成氧化亚铜微晶薄膜。
地址 065001 河北省廊坊市开发区新源东道南区B楼