发明名称 集成光学强度调制器
摘要 本实用新型涉及一种光学强度调制器,特别是一种具有对温度不敏感,波长相关带宽宽,制作工艺容差大等特点的集成光学强度调制器,其由晶体基底、Y型波导、斜通臂波导和波导电极构成;在晶体基底上制有Y型波导和斜通臂波导Y型波导与斜通臂波导共同构成一个集成耦合器,晶体基底的输入端和输出端分别设有一个集成耦合器,两个耦合器的两条分支分别相互连通,在晶体基底之上、集成耦合器两分支的两侧和制有波导电极,本实用新型利用集成耦合器中1阶模与0阶模会发生耦合的机理,使其在输入与输出端,具有温度敏感性小,工作温度范围宽,波长相关性小,工作波长范围宽的优点。
申请公布号 CN201569819U 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200920217531.0 申请日期 2009.09.27
申请人 北京浦丹光电技术有限公司 发明人 向美华;耿凡;薛挺
分类号 G02F1/035(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I 主分类号 G02F1/035(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种集成光学强度调制器,其特征在于:其由晶体基底(1)、Y型波导(2)、斜通臂波导(3)和波导电极(4)构成;在晶体基底(1)上制有Y型波导(2)和斜通臂波导(3),Y型波导(2)的三个分支为直通臂波导(5)、分支A(6)和分支B(7),斜通臂波导(3)位于直通臂波导(5)靠近Y型波导(2)交叉点的边缘,Y型波导(2)与斜通臂波(3)导共同构成一个集成耦合器(8),其仅能传播0阶模,不能传播1阶模;晶体基底(1)的输入端和输出端分别设有一个集成耦合器(8),两个耦合器的两条分支分别相互连通;在晶体基底(1)之上、集成耦合器(8)两分支的两侧和中央制有波导电极(4)。
地址 100023 北京市经济技术开发区东区经海四路18号浦丹光电大厦