| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括形成氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。 | ||
| 申请公布号 | CN101819938A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN201010121255.5 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 平尾孝;古田守;古田宽;松田时宜;平松孝浩 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/363(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其包括：通过使用主要包含氧化锌的氧化物靶在衬底(1)上形成氧化物半导体薄膜层；以及在所述形成所述氧化物半导体薄膜层(3)的步骤期间，向所述衬底施加射频电功率，以将为所述氧化物半导体薄膜层的主要成分的氧化锌的取向控制为具有至少一个不同于(002)取向的取向。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||