| 发明名称 | 一种太阳能硅片的表面清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种太阳能硅片的表面清洗方法，该方法在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为1～3％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为1～3％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为1～3％的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水超声波漂洗后，最后放入温度保持在45～70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。采用本发明方法，由于采用了酸液浸泡，并导入纯净压缩空气鼓泡，使太阳能硅片表面的金属粘污物及切割溶液迅速分解剥离，大大增加了硅片表面清洁度，从而提高了太阳能硅片制绒的成品率及质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101817006A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN201010129811.3 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 浙江矽盛电子有限公司 | 发明人 | 郜勇军;方建和;柴宏峰 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/10(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人 | 舒良 |
| 主权项 | 一种太阳能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为1～3％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为1～3％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为1～3％的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水超声波漂洗后，最后放入温度保持在45～70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。 | ||
| 地址 | 324300 浙江省开化县工业园区园三路1号 | ||