形成集成电路结构的方法

摘要

本发明提供一种形成位于芯片上的集成电路结构的方法。包括从集成电路结构的设计取出有源层；形成围绕有源层且与有源层形状一致的保护带，且保护带与有源层相隔沿X轴方向的第一固定间距以及沿Y轴方向的第二固定间距；移除保护带的凸角；于保护带外侧的芯片的剩余空间中增加虚设扩散图案。特别指定第一和第二固定间距与集成电路结构的电性参数模型特性描述的间距相同。上述方法的虚设扩散图案具有不同的粒度。上述方法增加虚设扩散图案以使遍及芯片的扩散区密度为均一。

主权项

一种形成位于一芯片上的一集成电路结构的方法，包括下列步骤：从该集成电路结构的一设计取出一有源层，其中该有源层包括具有一扩散区的一有源图案；形成与该有源层形状一致的至少一保护带，其中该保护带为一虚设扩散层，该保护带围绕该有源层且不具有裂缝，且该保护带与该有源层相隔沿一X轴方向的一第一固定间距以及沿一Y轴方向的一第二固定间距；移除违反设计规则的该保护带的任何部分；移除该保护带的凸角；以及于该保护带外侧的该芯片的一剩余空间中增加虚设扩散图案。