多级单元NAND中的非相等阈值电压范围

摘要

适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置促进数据传送速率的增加。所述存储器装置的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。由于编程干扰在较高阈值电压下较低，因此所述存储器单元的阈值电压范围针对包括较低阈值电压的范围具有较大范围大小且针对包括较高阈值电压的范围具有较小范围大小。

主权项

一种对多级单元存储器进行编程的方法，其包含：在每一单元内指派多个阈值电压范围，为所述存储器单元的每一级指派一范围；以及将所述多个阈值电压范围确定为不同的大小，每一阈值电压范围表示一数据位模式。