一种取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种制备取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法。该向ZnO纳米棒薄膜是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。该ZnO纳米棒薄膜的制备方法是以锌铁水滑石为前驱体，经溶剂蒸发组装成膜，再在保护气环境下高温焙烧处理，得到取向ZnO纳米棒薄膜。该方法具有设备简单，易操作，反应温度低，对环境无害，产物形貌可控，与基底黏附性好等特点。该取向ZnO纳米棒薄膜具有很好的紫外发光性能，其在390nm处具有很强的紫外带边发射峰，其半峰宽仅为7.9nm。

主权项

一种取向ZnO纳米棒薄膜，其特征是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。