| 发明名称 | 半导体压力传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体压力传感器(100)包括：硅衬底(1)；具有形成于硅衬底(1)上的第一隔膜(25)及第一应变计电阻(7)的有源应变计电阻形成部(101)；以及具有形成于衬底(1)上的第二隔膜(26)及第二应变计电阻(7)的用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)。有源应变计电阻形成部(101)的第一隔膜(25)及用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)的第二隔膜(26)用共同的多晶硅膜(5)形成。为了与衬底(1)连接，多晶硅膜(5)具有向衬底(1)侧延伸的桩部(21)。第一及第二隔膜(25、26)具有互相相同或对称的结构，且第一及第二应变计电阻(7)具有互相相同或对称的结构。从而能够得到可高精度地进行温度补偿的半导体压力传感器(100)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101819077A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200910222215.7 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 佐藤公敏 |
| 分类号 | G01L1/22(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;王丹昕 |
| 主权项 | 一种半导体压力传感器，其中包括：衬底；有源应变计电阻形成部，该有源应变计电阻形成部具有形成于所述衬底上的第一隔膜及第一应变计电阻；以及用于温度补偿的伪应变计电阻形成部，该用于温度补偿的伪应变计电阻形成部具有形成于所述衬底上的第二隔膜及第二应变计电阻，所述有源应变计电阻形成部的所述第一隔膜及所述用于温度补偿的伪应变计电阻形成部的所述第二隔膜用共同的规定膜形成，为了与所述衬底连接，所述规定膜具有向所述衬底侧延伸的桩部，所述第一及第二隔膜具有互相相同或对称的结构，且所述第一及第二应变计电阻具有互相相同或对称的结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||