| 发明名称 | 记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种记录介质及其制造方法。更具体而言，公开了一种具有高密度和高能量传递效率的记录介质及其制造方法。所述记录介质包含衬底、在衬底上形成的记录层、在记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN101821806A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200880111460.4 | 申请日期 | 2008.10.16 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 金真洪;李俊硕;林定植;徐勋 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种记录介质，包含：衬底：在所述衬底上形成的记录层；在所述记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层；以及布置在所述第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||