发明名称 一种消除读取干扰的静态随机存储器
摘要 本发明提供了一种消除读取干扰的静态随机存储器,包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,其中第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管、第二NMOS管组成两个COMS倒相器,交叉耦合形成双稳态触发器,第三NMOS管和第二PMOS管相连,第四NMOS管和第一PMOS管相连,静态随机存储器还包括第五NMOS管,第五NMOS管和第一PMOS管、第二PMOS管分别相连,本发明在静态随机存储器中加入第五NMOS管,在执行读取任务时将第五NMOS管关闭,从而避免了读取干扰现象的发生,提高了静态随机存储器读取状态的稳定性。
申请公布号 CN101819815A 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN201010164945.9 申请日期 2010.04.29
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 胡剑
分类号 G11C11/4197(2006.01)I 主分类号 G11C11/4197(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种消除读取干扰的静态随机存储器,包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,其中所述第一PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二PMOS管、所述第二NMOS管组成两个COMS倒相器,交叉耦合形成双稳态触发器,所述第三NMOS管和所述第二PMOS管相连,所述第四NMOS管和所述第一PMOS管相连,其特征在于:所述静态随机存储器还包括第五NMOS管,所述第五NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连。
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